Car-tech

Samsung a Toshiba usilují o nárůst rychlosti NAND Flash

Chrastava TV - snaha o získání dotace na opravu školy

Chrastava TV - snaha o získání dotace na opravu školy
Anonim

Společnost Samsung Electronics a Toshiba ve středu uvedla, že hodlají prosadit novou specifikaci, která by urychlila tok dat v paměti NAND flash, která se používá k ukládání dat z iPadu a iPhonu na disky SSD polovodičové jednotky) používané v počítačích a datových centrech.

Dva největší výrobci NAND flash paměťových čipů se zavázali vyvinout NAND flash paměť DDR (Double Data Rate) s rozhraním 400 megabitů za sekundu, což je rychlejší než 133Mbps na dřívější specifikaci technologie a desetkrát rychlejší než rozhraní 40Mbps, které se nachází na tradičních NAND flash čipích.

Technologie, nazývaná přepínací mód DDR, je také soupeřem k ONFI (Open NAND Flash Interface) podporované společností Intel, Micron Technology a SanDisk. Dvě technologie jsou zaměřeny na vysoce výkonné produkty, jako jsou například SSD, které NAND flash backers někdy doufá, že nahradí pevné disky (HDD).

ONFI může podle informací z webových stránek ONFI poskytovat rychlosti 166Mbps a 200Mbps. > "Obě implementace jsou zaměřeny na podobné úrovně výkonnosti," uvedl Gregory Wong, generální ředitel výzkumu průmyslu Forward Insights. "ONFI má start, protože byl založen dříve, ale přepínací režim DDR je trochu kompatibilnější se standardním asynchronním rozhraním."

Řekl, že míra přijetí těchto dvou technologií bude ovlivněna nabídkou a od společnosti Samsung a společnost Toshiba dodává téměř 70% trhu s pamětí flash NAND, mohou využít své vedení k tomu, aby zvýšily přijetí DDR přepínače.

Jim Handy, analytik společnosti Objective Analysis, říká, že rychlé rozhraní pro čipy NAND jsou důležité z důvodu jejich rostoucí využití pro zpracování dat, a to nejen hudbu, fotografie, videa a USB disky. Oznámení společnosti Samsung a Toshiba ukazují, že obě společnosti se zabývají problémy s kompatibilitou v přepínačím režimu DDR, dodal.

V tiskové zprávě uvedly společnosti očekávání pokračujícího přijetí smartphonů, tablet PC a SSD širší řadu vysokovýkonných čipů NAND a že neustálé aktualizace rychlosti povedou k vytvoření nových produktů založených na paměti NAND flash

Samsung uvedl v minulém měsíci jeden z prvních SSD, který používá přepínací režim DDR NAND flash paměť, zařízení s kapacitou 512 GB s maximální četností 250 megabajtů za sekundu (MBps) a sekvenční rychlostí zápisu 220 MBps